东京应化和道康宁东丽（Dow Corning Toray）开发出了耐蚀刻性更高的、支持65nm工艺的双层（Bi-Layer）光刻胶，并将开始销售。该光刻胶可省去层叠工艺（Multilayer Process）此前必需的硬掩膜，能够简化工艺。
　　一般来说，为了在实现高分辨率的同时获得大范围工艺窗口（Process Window），需要将光刻胶制成薄膜，这样便可提高耐蚀刻性。而原来的有机类光刻胶在耐蚀刻性方面并不充分，需要结合使用硬掩膜。此次通过采用含硅聚合物，提高了耐蚀刻性。此前的含硅光刻胶存在由硅导致的脱气（Outgas）问题，而此次将脱气降低到了利用现有检测装置也检测不出来的水平，从而解决了装置污染问题。另外，此次的光刻胶不仅适用于干式曝光，而且还可使用于面向45nm工艺的液浸曝光。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社