NEC、NEC Electronics和MIRAI Project日前宣布，已经合作采用新技术开发出一种低k膜，有望降低复杂LSI的功耗。
这种低k膜包含使用新颖的分子孔径堆迭(MPS)技术生成的极薄的分子级孔径，经过证实能够在将来的45纳米节点LSI上实现超细铜互连，并可获得两倍于65纳米LSI的互连密度，且互连寄生电容降低16%。MPS技术有望降低用于高速服务器和多功能移动终端的下一代数字信息处理器的尺寸和有源功耗。
三家公司认为，这种基于MPS多孔低k膜的铜互连模块技术对于实现45纳米节点低功耗LSI而言必不可少，将努力早日使其推向市场。
来源:半导体国际
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