日本开发成功耐热温度+400℃绝缘材料 用于SiC功率半导体

By admin • 七月 29th, 2010 • 25 views

　　日本关西电力和旭电化工业日前面向采用SiC底板的功率半导体，成功地联合开发出了耐热温度达+400℃且具有柔软性的绝缘材料“Nanotech Resin KA-100”。假如能够实现使用这种树脂的SiC功率半导体，就能将电力转换设备的电力损耗和体积降低到一半以下，除电子系统设备外，还可以提高燃料电池等分散电源、电车、船舶和汽车等多种领域的电力效率。
　　与Si（硅）相比，由于SiC能够降低电力损耗，并且可在高温下工作，因此作为新一代功率半导体材料已被业界寄予厚望。但过去的硅绝缘材料由于耐热温度只有+200℃左右，因此无法充分发挥SiC的特性。
　　通过将绝缘材料的耐热温度由+200℃提高至+400℃，即使在5kV以上的高压领域，利用一个元件就能控制相当于过去6倍以上的100A左右的电流。由此就能将使用SiC材料的逆变器功率由12kVA提高至100kVA。关西电力希望在2006年使100kVA级通用逆变器达到实用水平，要想实现这一点，“必须要用到这次的新材料”（关西电力）。
　　此次开发的树脂是一种以聚硅氧烷为主要成份的热硬化树脂。由于硬化后的柔软性高，因此具有很强的耐振动性和耐冲击性，还与金属材料的粘着性也非常好。由于透明性高，光的透过损耗低，因此还可用作发光二极管和半导体激光器等光学设备材料。

　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社

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