旭化成电子在“FPD International 2008”上，展出了厚度减至500nm的干膜抗蚀剂。用途为UV纳米压印。此前投产的干膜抗蚀剂最薄的类型为1μm，而此次把厚度进一步减小了1/2。
　　该公司的干膜抗蚀剂在基膜上涂布抗蚀剂制造而成。通过开发出使抗蚀剂涂布厚度更薄的技术，将厚度减至500nm。通过厚度减小处理，还可减小UV纳米压印后的残留薄膜厚度。因此，具有可缩短将抗蚀剂用于掩模的底板干法刻蚀时间的优点。
　　此次开发的UV纳米压印使用的干膜抗蚀剂主要有3个特点：（1）图形转写性高，（2）易从模具上脱落，（3）便于大面积高效生产。
　　图形转写性高这一特点是干膜抗蚀剂独有的特点。如使用液态抗蚀剂的话，涂布底板后，需通过加热等处理使抗蚀剂变硬。这样硬化过程会产生热膨胀、热收缩，从而影响图形转写的精度。
　　便于从模具上脱落这一特点通过抗蚀剂的设计来实现。采用了对底板粘着性高、对模具粘着性低的抗蚀剂成分。模具的材料为硅、石英以及镍等。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社