2008-12-22
　　韩国三星电子、该公司研究机构三星尖端技术研究所（SAIT）以及日立制作所中央研究所在目前举行的IEDM 2008上，分别发表了铟（In）、镓（Ga）及锌（Zn）组成的非结晶氧化物半导体（IGZO）试制的各种TFT及内存。特别是三星集团，发表了3件技术，体现了该公司对IGZO领域倾注的热情。
　　IGZO作为TFT等半导体层所使用的材料，载流子迁移率高于非晶硅，偏差小于低温多结晶硅，因此作为新一代面板TFT技术备受关注。另外，由于可在较低温度下形成TFT，因此作为采用柔性底板的电子技术也备受瞩目。
　　三星集团发表的是采用IGZO的高性能TFT、5级高速环形振荡器（Ring Oscillator，RO）以及嵌入了内存读取电路的三维（3D）结构RRAM（Resistance RAM）等。高性能晶体管的半导体层采用了由InZnO层（或ITO层）与IGZO层组成的双层结构，其载流子迁移率高达104cm2/Vs。RO方面，每级的延迟时间仅为0.94ns，“速度高达原报告值的75倍”（SAIT）。3D RRAM“与周边配置读取电路的3D RRAM相比，有望缩小所占面积”（SAIT等）。
　　另一方面，日立制作所为实现可穿戴计算机（Wearable Computer）等，就采用IGZO的各种TFT试制成果进行了技术发表。与原来的TFT相比，临界斜率（Threshold Slope）值只有1/3，因此在1.5V低电压下也可驱动。还发表了在PET底板上形成TFT的技术。该公司表示，采用IGZO的晶体管技术“还是首次”。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社