普利司通公布了面向功率半导体元件的SiC底板开发情况。目前正面向功率元件，样品提供口径分别为2英寸和3英寸的4H型SiC底板。今后将扩大口径，“在2009年内样品供货4英寸产品”（该公司）。
　　SiC底板的质量方面，如果是顶级产品，则中空贯通缺陷（微管）几乎为零。也就是无微管产品。位错密度方面，“顶级产品低于其他公司产品”（普利司通）。
　　普利司通除了功率元件用SiC底板外，还提供在LED中使用的6H型以及在高频元件中使用的6H型半绝缘单晶SiC底板。其中，预计功率元件用SiC底板今后将继续增长。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社