“2005年有源矩阵型液晶显示器国际研讨会（AM-LCD '05）”的最后一天共发表了16篇论文。塑料底板上的低温多晶硅（p-Si）技术、基于MILC法的低温多晶硅结晶技术、单晶硅阵列形成技术、CAD技术与建模等技术相继亮相。特别值得一提的是，还有人发表了使用低温多晶硅TFT底板的人造视网膜技术和使用蛋白质的低温多晶硅技术。
　　日本液晶尖端技术开发中心（ALTEDEC）的加藤以《Growth and Characterization of Dense Array of Square-Like-Shaped Grain by Single Shot Phase-Modulated Excimer-Laser Annealing》为题，发表了单晶硅阵列形成技术和结晶测试结果。该中心开发并制成了用于准分子激光热处理的新的相移掩膜。该技术的特点是只需改变遮光点的大小，即可将激光能量分布由5μm间隔提高至10μm以上。
　　该中心使用这种相移掩膜形成了单晶阵列，结果从5μm间隔到8μm间隔条件下得到了填充率基本达100％的结晶硅。在10μm间隔条件下在矩形角部分则残存有非结晶区。另外，使用相移技术的单晶硅TFT特性测试结果是在会议第二天由东芝松下显示器技术公司的中崎以《TFT4-L1；Characterization of Novel poly-Si Thin-Film-Transistors Having Long and Narrow Grains》为题发表的，情况基本上与SOI-TFT相同。
　　荷兰代夫特理工大学的V.Rana以《Capping Layer on Thin Si Film forμ-Chochralski Process with Excimer laser Crystallization》题，介绍了在能隙层使用二氧化硅膜的结晶大粒径化技术。使用50nm二氧化硅能隙层，得到了直径66μm的单晶硅阵列。使用此膜的n型TFT的迁移率为40cm2·V-1·s-1，S值达到了0.18V/s。
　　日本兵库大学的松尾以《Crystallization of Soft X-Ray Irradiation》为题，介绍了使用SOI X线形成硅结晶的可能性。日本奈良科技大学的浦冈介绍了将Ni原子吸附到蛋白质“Ferritin（铁蛋白）”上，利用MILC法使用这种Ni原子实现低温多晶硅技术的可能性。日本龙谷大学的木村则介绍了将“低温多晶硅TFT电路＋Suftra技术（精工爱普生开发的剥离转印技术）”运用于“人造视网膜”的可能性。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社