为了让芯片制造设备中的加热器和静电吸盘发挥最大性能，GE-高新材料集团-石英部近日宣布在日本 Kobe 的新实验室推出一个集成加热器总成平台。这些定制总成对半导体设备供应商的晶片加工腔体来说是关键的子系统，它们将针对客户特定的力学、电气和热学工程设计与 GE 先进的化学气相沉积 (CVD) 陶瓷加热器和静电吸盘结合在一起。GE 新的集成设计流程考虑到了 OEM 晶片加工腔体的热学、等离子体、力学和电气边界条件，有助于使整个系统发挥最大性能。
　　据 GE 负责晶片加工的产品经理 Chris Intihar 说：”GE 时时为客户的需要考虑，因而设计出新的加热器总成平台。”GE-高新材料集团-石英部业务是唯一一家提供此种向前整合的知名供应商，此种向前整合将帮助半导体设备公司改善整体晶片加工腔体性能，同时协助这些公司使其内部工程资源发挥最大效用。我们的 Kobe 实验室提供尖端的设计和测试能力，还有一支专业技术队伍协助客户更迅速地完成项目。为了加速这个互动设计的进程，我们借助了纽约 Niskayuna 的GE 全球研究中心在陶瓷材料方面的专长，以及我们在印度 Bangalore 的GE John F. Welch 技术中心团队先进的预测工程 (Predictive Engineering) 和建模能力。我们位于俄亥俄州 Strongsville 全球总部所在地的工厂以及我们在日本姬路附近的工厂也在上述内容的设计和制造过程中起到了不可或缺的作用。
　　GE 在 Kobe 的技术团队将针对定制的加热器、静电吸盘和业内标准石英材料提供全套的加热器总成。从力学和热学的角度讲，GE 加热器和静电吸盘比烧结的陶瓷替代品更坚固耐用。这些产品使温度升降速率能超过 10℃/秒，温度最高可升至 1,300℃，并使精确温度控制（通常在 +/- 1% 以内）成为可能。这些材料性能优势可转化成半导体设备 OEM 生产能力的提升、更大的工艺灵活性和更高的晶片产量。
　　Kobe 工厂位于 Kobe 国际商务中心，配有 1000 级（测定为 0.3 微米颗粒水平）或 100 级（测定为 0.5 微米颗粒水平）的净室、两个能产生等离子体并测量静电吸附力的测试腔体、多种加热器电源和红外摄像机，并具备热模拟能力。