据Semiconductor Reporter网站报道，产业联盟Sematech 近日宣布其工程师已发现可用于nMOS器件金属栅极的高k材料。这种材料将用于下一代45纳米工艺。
　　这种高k/金属解决方案是在电池应用越来越广泛的IC中解决漏电问题的重要方法。氧化硅做栅介质层的标准场效应管的漏电问题在每一代工艺升级中表现得越来越明显。
　　然而据Sematech指出，目前用于替换n-和p-多晶硅栅的金属电极材料还很难找到。在很多情况下功函数与n+或者p+材料比较接近的金属材料在经历过CMOS工艺之后功函数发生了改变，并且还要受到组分、介质材料以及热循环情况的影响。
　　Sematech通过40多位工程师三年的攻关解决了这一问题，得到的金属材料有效功函数接近4.0电子伏。这是高k材料研究中一个里程碑式的成果。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：SEMI