据Semiconductor Reporter网站报道，IMEC(The Interuniversity Microelectronics Center)近期宣布，通过新型的金属-有机物化学气相外延(MOVPE)系统，生产出具有低电阻率AlGaN/GaN外延层的150mm硅圆片。这种材料将可以用于制作高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括服务于高频段的低功耗GaN器件。
　　由于缺少可商业化的GaN衬底，GaN异质节多数现在还是生长在蓝宝石和碳化硅衬底上。硅材料的吸引力主要来源于其价格低廉，具有比较好的热导率，以及尺寸也相比比较大。
　　IMEC基于该技术的HEMT可以实现更好的性能和一致性、同时具有很好的可重复性。同时IMEC也可以在蓝宝石或者SiC衬底上，制作基于AlGaN/GaN的HEMT。