德国英飞凌科技（Infineon Technologies）在美国波士顿举办的IEEE MTT-S International Microwave Symposium上，发布了LDMOS晶体管及LDMOS功率放大器的新产品。两产品均是面向手机基站装置的产品。
　　其中，LDMOS晶体管属于“PTFB系列”，支持最大300W的输出功率及90MHz以上的带宽。3G自不必说，就连4G手机的基站用装置所要求的峰值平均功率比（Peak to Average Power Ratio）及数据速率（Data Rate）也可以支持。
　　PTFB系列与目前1.4G～2.6GHz手机带宽使用的元器件相比，增益及电力密度均较高，并且封装面积可缩小30％。另外，峰值输出功率较大，会有利于Doherty放大器的工作。
　　输出功率（P-1dB）为230W的产品方面，在2170MHz、30V、8dB PAR及通道带宽3.84MHz的条件下，以50W（平均值）输出两载波WCDMA信号时，平均耗电量为50W。具有相同用途的、输出功率为300W（P-1dB）的产品方面，平均输出功率为65W，增益为18dB，效率为28％。
　　PTFB系列共有6种产品，全部采用开放腔（Open Cavity）陶瓷封装。6种产品现均已开始样品供货。
　　一个封装内集成2个LDMOS放大器
　　LDMOS放大器作为手机基站用装置放大器件，首次在一个封装内集成了2个放大器。一个封装内集成两个放大器的产品主要面向采用了主放大器及峰值放大器的Doherty放大器。有利于减小Doherty放大器的面积。
　　内置的2个放大器共有3种款式，其中2种面向WCDMA、LTE及TD-SDCMA，在1.8G～2.2GHz条件下工作。输出功率为30W或40W。封装采用20端子的塑料模（Plastic Mold）封装以及开放腔陶瓷封装。
　　另一种主要面向WCDMA、LTE及GSM/EDGE，在700M～1GHz条件下工作。输出功率为30W，采用20端子的塑料模封装。