大日本印刷开发出了灵敏度比原来高约100倍、线宽分辨率可达到15nm的化学放大型光刻胶。该公司称这一分辨率在化学放大型光刻胶中为“全球最高水平”。面向采用20nm以下线宽图案的半导体光掩模及压印模板制造。
　　此前形成20nm以下的超微细图案，一直使用灵敏度较低的“非化学放大型光刻胶”。但因绘制及曝光时耗时较多，因而生产效率低。而以往化学放大型光刻胶的主要成分一直为高分子，分子尺寸较大，为5n～10nm，且有大小不均现象，因此很难形成20nm以下的超微细图形。此次将其改换为分子尺寸较小且均匀的低分子化合物。其结果同时实现了出色的生产效率和分辨率。
　　该公司将力争在2010年度内使此次开发的化学放大型光刻胶达到实用水平。另外，该研究内容还将在2009年2月22～27日于美国圣何塞举行的“SPIE Advanced Lithography 2009”上发表。