氧化物TFT论文内容充实

IMID上发表的主要新一代TFT（不包括有机TFT）表中的SMD为三星移动显示器的简称。

　　上表是IMID上发表的主要新一代TFT一览。虽然此次IMID上也发表了大量有机TFT论文，但笔者认为目前尚不到讨论量产阶段，因此没有收入表中。

　　论文数量最多的是氧化物TFT。从论文内容来看，除了原有的IGZO（In-Ga-Zn-O）外，很多材料都应用到了试制之中。不使用In的AZTO（Al-Zn-Sn-O）等材料都拥有良好的特性，氧化物TFT材料的选择似乎仍有讨论的余地。而且有意思的是，这些新型氧化物TFT的特性都完全符合韩国三星电子在主题演讲中提出的“比a-Si TFT高出一个数量级的迁移率”这一“新一代液晶面板TFT底板要求值”。在试制方面，氧化物TFT不仅应用于有机EL面板的范例众多，而且完全可以作为新一代液晶面板用TFT底板。

　　氧化物TFT论文中最接近量产的是韩国三星移动显示器（SMD）发表的内容（论文3-1）。论文中虽然使用了非晶氧化物TFT的表述，但展示的图片却是IGZO。TFT结构为留有正统蚀刻终止层的反向叠构型，经过了7道光学处理。迁移率为21.2cm²/Vs，阈值特性（S值）为0.27V/dec。为了兼顾量产，IGZO的形成采用了DC溅射装置。

　　该公司还展示了底板面内TFT特性误差的相关数据。在整块底板的10个位置测定的阈值电压Vth标准偏差为0.16V，相邻3×3=9个TFT间的标准偏差为0.02V，优于准分子激光退火（ELA）。除此之外，由于没有翘曲效应，因此，IGZO还具有饱和特性优良、BTS（bias-temperature stress）耐受性等于高于ELA的特点。该公司认为，只要再解决可靠性课题，氧化物TFT将是大型有机EL面板的最佳TFT底板。

　　影响可靠性的因素包括水分、光、氢和氧，该公司同时给出了具体劣化数据。关于可靠性，论文50-1和50-3也发表了相关内容。而且，着眼于未来的柔性化，论文47-2还介绍了使用聚酰亚胺底板的IGZO TFT，并且发布了专用弯曲试验机的弯曲试验结果。

　　另外，该公司还给出了通道旁路法的数据，这种方法需要在蚀刻终止层上形成第2个栅极电极，Vth可以利用其偏压自由控制。这项技术虽然由来已久，但是由于氧化物TFT的Vth容易随工艺条件和应力条件变化，对于降低功耗的Vth控制、TFT元件的劣化补偿应该可以按需使用。