富士电机开发完成了用于SiC功率半导体元件（以下：功率元件）的新封装。据富士电机介绍，体积约为原来Si功率元件封装的1/4。另外，通过采用无需引线键合的布线技术、低热电阻的绝缘底板及耐热性较高的封装树脂等，实现了小型化，并提高了可靠性。
　　富士电机还利用该封装，开发出了并联设置多个SiC肖特基势垒二极管（SBD）的功率模块。耐压为1200V，输出电流为400A左右。通过分散配置SBD，提高了散热性。
　　富士电机计划利用此次开发的封装，推进配备SiC制SBD及MOSFET的模块开发，并面向太阳能发电系统及混合动力车等多个领域推广应用。另外，富士电机预定2010年度内样品供货SiC制SBD，2011年度内样品供货MOSFET。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社