法国Soitec集团旗下的法国Picogiga International公司开始供应GaN外延生长用SopSiC底板样品（发布资料）。SopSiC底板在保持与原有单结晶SiC底板相接近的导热率条件下，能够降低成本。SopSiC底板样品目前包括直径3英寸和4英寸2种。6英寸产品也在开发中。
　　GaN外延生长底板一般包括价格高、但适用于高功率元件的单结晶SiC底板，和价格便宜、适用于低功率元件的硅底板。SopSiC底板处于二者之间。能够以低成本实现供激光、卫星通信和基站等无线通信系统使用的中等功率元件。
　　SopSiC底板是应用Soitec的晶圆加工技术“Smart Cut”制作的一种底板。其结构由多结晶SiC支持底板、嵌入氧化膜绝缘层、高电阻（111）硅表面层组成。这种高电阻（111）硅表面层是GaN外延生长的种晶层。GaN的生长采用MBE（molecular beam epitaxy，分子束外延）技术或者MOCVD（metal-organic chemical vapor deposition，金属有机气相外延）技术。由于采用了多结晶SiC支持底板，因此与硅底板相比导热率更高，能够促进散热，另一个优点则是不会像单结晶SiC底板那样受到底板尺寸的制约。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社