2010-2-23
　　
　　三菱电机在面向新闻媒体举行的研究成果发布会上，公开了通过该公司在位于福冈市的“功率元器件制作所”内设立的SiC功率元件试制线上制造的元件。目前，三菱电机正采用该生产线进行面向实用化的研究开发。此次展出的产品是在4英寸（100mm）的SiC底板上制作的多枚5mm见方芯片。
　　试制生产线的竣工时间为2009年12月，建筑面积为1250m2。今后预定向设备（不包括建筑物）投资约35亿日元，向研发投入约100亿日元，共计为135亿日元左右。相关人员约为180人。试制生产线采用4英寸底板，按照该底板尺寸换算，具备月产3000张的产能。4英寸的底板可切割约200枚5mm见方的芯片。
　　不仅仅是SiC功率元件，该公司还将同步开发配备了该元件的产品。首先，预定在三菱电机的设备中配备SiC功率元件。具体用途没有明确给出，不过据估计应该是铁路车辆、太阳能发电系统、产业设备以及家电等领域。
　　此外，三菱电机还展出了采用SiC肖特基势垒二极管（SBD）和硅沟道型IGBT、额定电流为1200A、耐压为1700V的功率模块。如果采用3个这种功率模块构成逆变器，便可驱动300kW级的3相交流马达。虽然该成果早已发布，不过此次是首次公开功率模块的实物。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社