来自美国伊利诺伊州大学Urbana-Champaign分校的科学家近日宣布，他们已经成功研制出了世界上最快的晶体管，该晶体管已经打破了目前的世界纪录，运行频率达到845GHz。
　　这种晶体管采用磷化铟和铟镓砷化物作为原材料，并且运行速度比其它最快的晶体管还要快300GHz左右。伊利诺伊大学的电子与计算机工程教授MiltonFeng表示，新型的晶体管利用了底座以及集极区域（collectorregion）的伪态分级效应。“新架构加快了电子通过的速度，并且降低了电流密度和充电时间。”
　　根据最近的实验效果，MiltonFeng教授认为，THz级别的“圣杯”已经触手可及。除了利用伪态材料外，研究人员还使用了新的工艺可以使得晶体管的体积更加微小。例如，晶体管的基座只有12.5nm厚。

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