位于美国华盛顿的美国海军研究实验室日前声称，他们首次开发出一种基于InAlAsSb/InGaSb材料的新型双异质结晶体管，这种异质结晶体管的发射极和第二集电极则采用了InAsSb材料。
　　实验数据显示，这种双异质结晶体管不但大幅提升了器件的直流和射频性能，还明显减低了功耗。
　　据了解，美国海军部门不断开发这类半导体器件，旨在不断改进其舰载潜艇声纳探测系统的性能。SEMI 中国有关技术顾问表示，由于低功耗的特点，采用这种新型双异质结晶体管的声纳探测系统需要的蓄电池容量和体积都减少了，有利于整个系统的小型化。直流和射频性能的改进使得器件可以更好地和高位数的DA-AD转换器配合，从而大幅提升声纳探测器的分辨率和数据的价值。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：SEMI