美国威世半导体（Vishay Intertechnology）上市了最大导通电阻只有6.1mΩ的60V耐压功率MOSFET“SiE876DF”。该公司表示，“在封装尺寸与SO-8面积（Footprint）相同的产品中，其导通电阻为业界最低。与此前导通电阻最低的其他公司竞争产品相比，成功削减了13％”。主要面向工业用电源、马达驱动电路、服务器与路由器使用的开关电源以及POL（Point of Load）用DC-DC转换器等。
　　该产品为采用沟道结构的n通道功率MOSFET。封装采用该公司自主开发，上表面设有散热用金属板的“PolarPAK”，外形尺寸为6.15mm×5.15mm×0.80mm。因此，封装面和上表面均可散热。最大漏电流方面，硅芯片的极限值为110A，封装的极限值为60A。最大总栅极电荷量为77nC。目前已开始样品供货及量产供货。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社