韩国三星电子公布了面向有机EL面板驱动元件的透明薄膜晶体管（TFT）的开发情况。在硅底板上制成了基于InGaZnO类透明氧化物半导体的TFT，并证实了具有载流子迁移率达10cm2/Vs以及导通／截止电流比为108的特性。
　　在获得高驱动电流的同时实现了元件间的特性均一性
　　三星尖端电子研究所（SAIT）的研究小组此前曾在透明氧化物半导体研讨会“International Symposium on Transparent Amorphous Oxide Semiconductor（TAOS 2006）”上公布过此项成果。
　　该研究小组表示，作为有机EL面板驱动用TFT的材料，与多晶硅和非晶硅相比，InGaZnO类半导体更具有优势。其原因是可在获得高驱动电流的同时减小元件间的不均一性。在InGaZnO类半导体中，在元件间比较容易实现均一薄膜特性的非晶薄膜的载流子迁移率较高。而硅则不同，元件间薄膜特性均一性高的非晶薄膜的载流子迁移率较低，载流子迁移率高的多晶薄膜则容易因粒径的不均一性导致元件间薄膜特性的不均一性增大。
　　应用领域还瞄准喷墨工艺
　　此次该公司在硅底板上形成了由InGaZnO类半导体构成沟道的透明TFT。沟道为非晶薄膜，沟道的宽度及长度分别为20μm和50μm。晶体管特性方面，载流子迁移率为10cm2/Vs，导通／截止电流比为108，电流驱动力为0.23V/位。作为开关特性指标的截止电流为1pA，栅极泄漏电流为10pA，均比较小。TFT中5000小时不间断流经一定电流时的阈值电压的变动可控制在2V以内。虽然此次的沟道制作是在室温下利用溅镀法形成的，但是该公司还在考虑利用基于喷墨的液体工艺形成沟道。
　　三星将在12月11～13日于美国旧金山举行的“2006年国际电子器件会议（2006 IEDM）”上发表该成果的详细内容。“将在IEDM上介绍比此次更出色的测试数据”（SAIT）。三星的此次成果是11月22日在透明氧化物半导体研究方面领先业界的东京工业大学的Suzukakedai学院举行的TAOS 2006上发表的。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社