新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing）日前公布了与美国IBM、德国英飞凌科技和韩国三星共同开发的65nm工艺CMOS技术的进展情况。将从2005年第四季度开始利用特许半导体设在新加坡的生产线“Fab7”着手试制工作。计划2006年初开始量产试制，06年第二季度投产。
　　特许半导体65nm工艺的投产日期与2004年版半导体行业国际技术发展蓝图(ITRS)相一致。在推出130nm工艺时，该公司的工艺提高日程比ITRS的发展蓝图迟了近1年，不过此后，这一差距正在迅速缩小。该公司特别强调了合作的功劳：“从开发90nm CMOS技术开始与IBM建立合作关系以来，大大加快了工艺提高的步伐。虽然展开合作才两年，但我们的技术却赶上了世界最先进水平”（该公司主管全球市场及服务的副总裁Kevin Meyer）。此外，特许半导体与IBM两公司还决定联手开发65nm规格的CMOS技术，英飞凌和三星也分别于2003年和2004年加入进来。
　　共同开发的65nm CMOS技术共包括3种：面向数字电视机等AV产品的LSI所采用的标准晶体管；面向手机、数码相机等便携式设备的低耗电晶体管；面向游戏机、网络设备等的高性能晶体管。其中，最先投产的将是采用低耗电晶体管的产品。比采用标准晶体管的产品早一个季度。由于“采用65nm工艺生产手机基带LSI的呼声最高”（特许半导体 Meyer），所以决定最先确立低耗电晶体管技术。据该公司称，在手机LSI从90nm工艺向65nm工艺过渡之后，接下来就是游戏机LSI了。

　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社