美国Cymer和德国卡尔蔡司SMT公司合资成立的TCZ公司25日公布了低温多晶硅（p-Si）TFT底板生产设备“TCZ-900X”的详情。据称使用此次开发的设备，“吞吐速度比过去更快，可降低生产成本”（TCZ公司总裁兼首席执行官Brian Klane）。该公司预测：“这次的新设备可将低温p-Si TFT底板的生产成本降至不足过去的1/2。”
　　在低温p-Si的结晶工序中，一般使用受激准分子激光热处理（ELA）设备。不过，使用这种设备时由于激光照射区域仅为2mm见方，因此为了处理整个底板，必须连续不断地对整个照射区域进行扫描。而这次的设备只需将宽度接近第4代底板宽度（730mm）的720mm激光照射区，沿长边方向扫描一次即可。因此新设备的吞吐速度达到了ELA设备的约3倍。据称吞吐速度可达到最近提出的“SLS”方式的2倍左右。
　　为了实现宽达720mm的激光照射区，该公司开发出了高功率激光器以及与这种激光器相适应的高精度光学系统技术。激光功率为900W，频率为6kHz。另外，这次的新设备吞吐速度对于第4代底板为72秒/枚，每小时可处理的底板数量为30枚。利用该设备形成的p-Si的迁移率在300～400cm2·V-1·s-1之间。
　　关于对第5代以后的大型底板的支持问题，该公司表示“最大可实现2m见方”。因为该公司在数kW的激光光源以及与此相适应的光学系统方面“拥有实际应用经验”。课题则是底板的操作，以及在底板表面随之而产生的凹凸吸收等。对此，该公司表示：“比如，有可能运用在曝光设备中积累的经验和技术来解决。”

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源:日经BP社