半导体要正常工作，必须通过向半导体材料中掺入少量杂质如硼等来改善其电性，这个过程被称作掺杂。此前，一直以来都是只要随机引入掺杂物原子就足够了。但由于半导体装置的体积在不断变小，不久就会小到掺杂物原子数量的波动会影响半导体电学特点的程度：如果随机分开掺杂物原子的距离与半导体装置本身在一个类似的尺度上，那么掺杂物的分布就不能还被认为是均匀的。
　　Shinada等人对掺杂物无序状态所扮演的角色进行了研究，他们用一种最近开发出来的单离子植入技术来向一个精微的半导体区域中一个一个地植入掺杂物离子。他们获得的结果显示了通过在原子尺度上操控掺杂过程可以使半导体装置性能有多大提高，甚至还使得研制基于硅的固体量子计算机显得更有希望。

　　　　　　　　　　　　　　　　来源：新材料科技网