罗姆试制成功了使用GaN底板的常关型（Normally Off）纵向结构的GaN类MOSFET。此前该公司已经与立命馆大学开发出了利用蓝宝石底板的联合载流子迁移率高达133cm2/Vs的常关型GaN类MOSFET。此次通过将绝缘性的蓝宝石底板改为导电性的GaN底板、将漏极设计在底板背面，实现了纵向结构。载流子迁移率也达到了“与蓝宝石底板产品相同的水平”（解说员）。通过将蓝宝石底板上与栅极和源极同样位于表面的漏极设计到背面，减小了MOSFET的面积。与使用蓝宝石底板相比，“芯片面积减小了30～40％”。
　　罗姆在会场上使用基于蓝宝石底板的MOSFET，演示了常关动作。在栅极电压为0～7V的条件下驱动MOSFET，并演示了超过阈值电压时漏极电流的流动状况。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社