中科院物理所微加工实验室与日本物质材料研究机构合作，近日采用化学气相沉积法获得了N型的氮化硼半导体纳米管。
　　氮化硼作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。氮化硼纳米管通常表现出稳定一致的电学特性，它能够诱导其半导体特性。对氮化硼纳米管结构进行的系统表征检测证明，这是一种稳定的掺杂结构。研究人员发现F掺杂实现了氮化硼纳米管从绝缘体向半导体的转变，低于5%的F掺杂浓度使氮化硼纳米管的电导提高3个数量级以上。这一结果为采用该材料制作纳米电子器件的研究奠定了基础。

　　　　　　　　　　　　来源：中国高新技术产业导报