东芝、芝浦机电及氯工程3公司联合开发出了光刻胶剥离装置,在半导体电路形成工序中,可将去除光刻胶时使用的硫酸使用量比原有方法削减70%。由于能够减少排放废水中所含化学物质的绝对量,因此可减轻工厂废水处理及环境的负担。另外,光刻胶用化学物质的生成效率也很高,从而可将光刻胶去除工序花费的时间缩短约2成。
此次的技术面向通过使用氧化剂之一的过硫酸(H2SO5)的湿处理来去除光刻胶。主要设想在形成晶体管时用于去除光刻胶。该方法通过电解硫酸和水的混合物来生成H2SO5。由于可只析出H2SO5,因此H2SO5在使用后还可回收,在去除O后作为硫酸再利用。
这样一来,便可削减硫酸的使用量。而原来H2SO5则是通过混合硫酸和过氧化氢(H2O2)来制备。不过,采用这种方法时,容易同时生成H2SO5和水,很难在只分离H2SO5后再还原到硫酸,无法实现硫酸的再利用。另外,此次开发的技术不能在形成多层布线时用于去除光刻胶,原因是由铜等金属布线形成的多层布线构造部分容易因硫酸产生不良影响。
为了实现此次的技术,3公司提供了各自的技术,东芝提供的是半导体尖端工艺技术,芝浦机电提供的是光刻胶剥离装置系统技术,氯工程提供的是电解硫酸技术及高纯度药品的高耐久性电解槽技术。此次的技术由于采用浓度比原来更高的硫酸,因此需要提高光刻胶去除用的反应槽及装置,以及整个系统的耐药性。
此次开发的光刻胶剥离装置为逐枚处理晶圆的枚叶处理型。目前正在进行评测,预定从2007年4月开始在东芝四日市工厂的部分工序中使用。另外,芝浦机电及氯工程还预定对外销售此次的装置及组件。芝浦机电此前一直在销售采用湿式处理的光刻胶剥离装置,此次的装置预计将成为其新产品,不过目前尚未决定上市日期。另外,可处理多枚晶圆的成批处理机型目前也在开发之中。
来源:日经BP社
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